
产品型号:DLD-WPC40
更新时间:2026-07-14
厂商性质:生产厂家
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晶圆等离子清洗机
一、设备概述晶圆等离子清洗设备为半导体专用干式真空等离子表面处理设备,采用 13.56MHz 射频CCP 激发方式,依托高纯工艺气体电离形成等离子体,通过物理离子轰击与化学反应协同作用,完成各类晶圆纳米级精密清洗。设备适配硅片、碳化硅 SiC、氮化镓 GaN、砷化镓 GaAs、MEMS、SOI 绝缘层硅片,覆盖4/6/8/12 英寸通用半导体晶圆、功率器件晶圆、射频外延晶圆及各类先进封装载片晶圆。

二、技术参数:
晶圆等离子清洗机的完整技术参数如下表所示:
| c序号 | 型号规格 | 型号规格 |
| 1 | 发生器功率 | 射频电源 0-300W 连续可调 自动匹配阻抗 |
| 2 | 发生器频率 | 13.56 MHz |
| 3 | 腔体容积 | 45L |
| 4 | 腔体尺寸 | 400mm(L)×390mm(W) ×250(H)mm |
| 5 | 质量流量计 | 0-200 SCCM |
| 6 | 真空传感器 | 皮拉尼真空计 |
| 7 | 气路设计 | 有限元分析模拟均匀分布气路, 保证清洗刻蚀均匀性 |
| 8 | 气体通道 | 配置 2 路工艺气路, 支持O₂/Ar/N₂/H₂等(可定制) |
| 9 | 控制方式 | PLC+触摸屏(全自动/手动) |
| 10 | 电源供应 | AC220V 50Hz |
| 11 | 整机功率 | 约 1.5KW |
| 12 | 外形尺寸 | 650mm(L)×550mm(W) ×600mm(H) |
| 13 | 可根据不同产品的尺寸及产能等实际需求定制设备 | |
三、设备功能特点:
⚫ 干式纳米精密处理:射频真空等离子复合作用工艺,清洗精度达纳米级别,全程干式加工,无酸碱药剂残留污染。
⚫ 高精度供气配比:搭载多路 MFC 气体控制系统,兼容 5N 及以上超高纯工艺气源,腔内等离子场分布均匀性优良。
⚫ 低温低损伤制程:采用低温处理工艺,最大限度保护晶圆外延层、精细线路及高深宽比微观结构,基材损伤极小。
⚫ 高洁净真空体系:模块化316L超高洁净腔体,真空指标优异,腔体内部洁净度可控,规避腔内二次污染。
⚫ 智能可编程控制:PLC 集中控制系统,支持多组工艺配方存储,功率、真空度、气体流量、处理时长全部参数闭环可调。
⚫ 整体安全防护:配备全套电气及工艺联锁保护,集成舱门真空互锁、气体泄漏检测、超温过载保护、尾气无害化处理系统,设备运行可靠性高。
四、售后服务:
⚫ 质保期限:整机提供 12 个月免费质保服务,射频电源、真空泵、MFC 流量控制器等核心关键部件单独质保。质保期内因设备自身设计、制造缺陷引发故障,免费提供配件更换及上门维修。
⚫ 上门服务响应:国内区域故障报修后 2 小时内技术对接,重大故障 24 小时抵达现场处理。
⚫ 终身成本维护:质保期满后提供终身优惠维保服务,原厂配件供给,定期出具设备巡检保养方案。
⚫ 技术培训服务:设备到货调试完毕后,为甲方操作人员、工艺工程师、维护人员提供操作培训,涵盖设备操作、配方调用、日常点检、简单故障排查。
⚫ 远程技术支持:提供 7×24 小时全天候远程线上技术支援,远程参数调试、工艺优化、故障诊断,快速解决现场一般性问题。 技术规格书- 6 -
⚫ 定期回访服务:建立设备专属档案,定期主动回访设备运行工况,给出真空系统、气路、密封件、耗材周期性更换建议。
⚫ 工艺迭代支撑:配合客户晶圆新产品开发,持续提供等离子工艺参数优化、气体配比、制程方案配套技术支持。